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Self-organized in-plane incorporation of Si atoms in GaAs by molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
Daeweritz, L.
[1
]
Kostial, H.
[1
]
机构：
[1] Paul-Drude-Inst fuer, Festkoerperelektronik, Berlin, Germany
来源：
Applied Physics A: Solids and Surfaces
|
1994年
/
58卷
/
01期
关键词：
549.3;
Others;
including Bismuth;
Boron;
Cadmium;
Cobalt;
Mercury;
Niobium;
Selenium;
Silicon;
Tellurium and Zirconium - 712.1.2 Compound Semiconducting Materials - 802.3 Chemical Operations - 931.1 Mechanics - 933.1.1 Crystal Lattice - 933.1.2 Crystal Growth;
D O I：
暂无
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17
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