Reactive ion etching of gallium arsenide in CCl2F2 and SiCl4 plasmas: influence of chamber material and etching mask

被引：0

作者：

Etrillard, Jackie Jean-Pierre ^{[1
]}

机构：

[1] France Telecom/CNET/PAB, Bagneux, France

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 7 A期

关键词：

23;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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