Heavily carbon-doped p-type GaAs grown on GaAs substrates with various orientations by metalorganic molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Guo, Li-Qi ^{[1
]}

Konagai, Makoto ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1996年 / 35卷 / 2 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用