Effect of alloy disordering on exciton dynamics in InGaAs/GaAs quantum well

被引:0
作者
Xu, Zhongying [1 ]
Lao, Changping [1 ]
Jin, Shirong [1 ]
Xu, Jizong [1 ]
Zheng, Baozhen [1 ]
机构
[1] Inst of Semiconductor, Academia Sinica, Beijing, China
来源
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1995年 / 16卷 / 02期
关键词
712.1.2 Compound Semiconducting Materials - 931.4 Quantum Theory; Quantum Mechanics;
D O I
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