Wet-chemically passivated silicon interfaces: Characterization by surface photovoltage measurements, and spectroscopic ellipsometry methods

被引：0

作者：

Angermann, H. ^{[1
]}

Henrion, W. ^{[1
]}

Röseler, A. ^{[2
]}

Rebien, M. ^{[1
]}

机构：

[1] Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, DE-12489 Berlin, Germany

[2] Inst. Spektrochemie und Spektrosk., Rudower Chaussee 5, DE-12489 Berlin, Germany

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暂无

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学科分类号：

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