Low-temperature growth of SiO2 films by electron-induced ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Nakano, Koji ^{[1
]}

Horie, Tetsuhiro ^{[1
]}

Sakamoto, Hitoshi ^{[1
]}

机构：

[1] Mitsubishi Heavy Industries, Ltd, Yokohoma, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 12 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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