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Characterization of shallow acceptors in GaAs by microsecond-scale time-resolved photoluminescence
被引：0
作者：
Sibierian Branch of Russian Acad of, Sciences, Novosibirsk, Russia
[1
]
机构：
来源：
Appl Phys Lett
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/
3卷
/
373-375期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
14
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