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Resonant tunneling in double-barrier structures with trapezoidal potential profiles
被引：0
作者：
机构：
[1] Inaba, Hirokazu
[2] Kurosawa, Kou
[3] Okuda, Masahiro
来源：
Inaba, Hirokazu
|
1600年
/
28期
关键词：
Semiconductor Diodes;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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