NUMERICAL ANALYSIS OF GaAs EPITAXIAL-LAYER SCHOTTKY DIODES.

被引：0

作者：

Adams, John G. ^{[1
]}

Jelenski, A. ^{[1
]}

Navon, David H. ^{[1
]}

Tang, Ting-Wei ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Massachusetts, Dep of Electr, & Comput Eng, Amherst, MA, USA, Univ of Massachusetts, Dep of Electr & Comput Eng, Amherst, MA, USA

来源：

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

页码：1963 / 1970