AlGaAs-GaAs buried heterostructure laser with in situ ECR or gas-phase etching and MOCVD regrowth process

被引:0
作者
Ogura, M.
机构
来源
Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory | 2000年 / 64卷 / 03期
关键词
Graded index separate confinement - Regrowth process;
D O I
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