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AlGaAs-GaAs buried heterostructure laser with in situ ECR or gas-phase etching and MOCVD regrowth process
被引：0
作者：
Ogura, M.
机构：
来源：
Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory
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2000年
/
64卷
/
03期
关键词：
Graded index separate confinement - Regrowth process;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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