Au-related deep states in the presence of extended defects in n-type silicon

被引：0

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作者：

Kaniewska, M. ^{[1
]}

Kaniewski, J. ^{[1
]}

Peaker, A.R. ^{[1
]}

机构：

[1] Inst of Electron Technology, Warsaw, Poland

来源：

Materials Science Forum | 1994年 / 143-4卷 / pt 3期

关键词：

13;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

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