Effects of rapid thermal annealing on cobalt silicided p+ poly-Si gates fabricated by BF2+ implantation into bilayered CoSi/a-Si films

被引:0
作者
Lai, Wen-Koi [1 ]
Liu, Han-Wen [1 ]
Juang, Miin-Horng [1 ]
Cheng, Huang-Chung [1 ]
机构
[1] Natl Chiao Tung Univ, Hsinchu, Taiwan
来源
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1999年 / 38卷 / 7 A期
关键词
D O I
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页码:3993 / 3996
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