Surface morphology of growing Al on Si(111)7×7 and Si(111)√3×√3-Al substrates by reflection high-energy electron diffraction

被引：0

作者：

Horio, Yoshimi ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Applied Electronics, Daido Institute of Technology, 2-21 Daido-cho, Minami-ku, Nagoya 457-8531, Japan

来源：

| 1600年 / JJAP, Tokyo, Japan卷 / 39期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用