Control and modification of metal-semiconductor interfaces using multi quantum barriers

被引：0

作者：

Kestle, A. ^{[1
]}

Wilks, S.P. ^{[1
]}

Westwood, D.I. ^{[1
]}

Ke, M. ^{[1
]}

Elliott, M. ^{[1
]}

Williams, R.H. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Wales, Cardiff, United Kingdom

来源：

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology | 1995年 / B35卷 / 1-3期

关键词：

Number:; -; Acronym:; EPSRC; Sponsor: Engineering and Physical Sciences Research Council;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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