Improvement of hot-electron hardness in metal-oxide-semiconductor devices by combination of gate electrode deposited using amorphous Si and gate oxide grown in N2O

被引：0

作者：

Natl Tsing Hua Univ, Hsinchu, Taiwan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn J Appl Phys Part 2 Letter | / 8 A卷 / L968-L970期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

MOS devices

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