SELECTIVE AREA GROWTH OF GALLIUM ARSENIDE BY METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY.

被引：0

作者：

Ghosh, C. ^{[1
]}

Layman, R.L. ^{[1
]}

机构：

[1] ITT, Gallium Arsenide Technology, Cent, Roanoke, VA, USA, ITT, Gallium Arsenide Technology Cent, Roanoke, VA, USA

来源：

| 1600年 / 45期

关键词：

POLYCRYSTALLINE FORMATION - SHADOW MASKING - SUBSTRATE TEMPERATURE - VAPOR PHASE EPITAXY - VERTICAL REACTORS;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用