EFFECTS OF STOICHIOMETRY ON THERMAL STABILITY OF UNDOPED, SEMI-INSULATING GaAs.

被引：0

作者：

Ta, L.B. ^{[1
]}

Hobgood, H.M. ^{[1
]}

Rohatgi, A. ^{[1
]}

Thomas, R.N. ^{[1
]}

机构：

[1] Westinghouse Research and Development Center, Pittsburgh, PA 15235, United States

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用