(AlxGa1-x)0.5In0.5P barrier layer grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy for V-band (AlxGa1-x)0.5In0.5P/In0.2Ga0.8As/GaAs power Pseudomorphic HEMT

被引：0

作者：

Zaknoune, M. ^{[1
]}

Schuler, O. ^{[1
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Wallart, X. ^{[1
]}

Piotrowicz, S. ^{[1
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Mollot, F. ^{[1
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Theron, D. ^{[1
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Crosnier, Y. ^{[1
]}

机构：

[1] Universite de Lille I, Villeneuve d'Ascq, France

来源：

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials | 2000年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

High electron mobility transistors

引用

页码：353 / 356