Fatigue problems in ferroelectric thin films

被引：0

作者：

Wang, Y. ^{[1
]}

Wong, K.H. ^{[1
]}

Choy, C.L. ^{[1
]}

机构：

[1] Structure Research Laboratory, Department of Astronomy and Applied Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China

来源：

Physica Status Solidi (A) Applied Research | 2002年 / 191卷 / 02期

关键词：

Ferroelectric dynamic random access memories (FDRAM);

D O I：

10.1002/1521-396X(200206)191:23.0.CO;2-D

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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