DEFECT IN SOLAR CELLS PREPARED FROM POLYCRYSTALLINE SILICON GROWN BY THE RAD TECHNIQUE.

被引:0
作者
Gervais, A. [1 ]
Sharko, R. [1 ]
Moudda-Azzem, T. [1 ]
Belouet, C. [1 ]
机构
[1] Univ Pierre et Marie Curie, Paris, Fr, Univ Pierre et Marie Curie, Paris, Fr
来源
Journal of Crystal Growth | 1986年 / 82卷 / 1-2期
关键词
POLYCRYSTALLINE SILICON;
D O I
暂无
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摘要
(Edited Abstract)
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页码:209 / 215
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