Characterization of photo leakage current of amorphous silicon thin-film transistors

被引：0

作者：

Yamaji, Yoshimi ^{[1
]}

Ikeda, Mitsushi ^{[1
]}

Akiyama, Masahiko ^{[1
]}

Endo, Takahiko ^{[1
]}

机构：

[1] Display Materials and Devices Laboratories, Research and Development Center, Toshiba Corporation, 33 Shin-isogo-cho, Isogo-ku, Yokohoma 235-0017, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1999年 / 38卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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