Impact of gate microstructure on complementary metal-oxide-semiconductor transistor performance

被引：0

作者：

Yu, Bin ^{[1
]}

Ju, Dong-Hyuk ^{[1
]}

Kepler, Nick ^{[1
]}

King, Tsu-Jae ^{[1
]}

Hu, Chenming ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of California, Berkeley, United States

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1997年 / 36卷 / 9 A-B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用