High-current characterization of dual-damascene copper interconnects in SiO2- and low-k interlevel dielectrics for advanced CMOS semiconductor technologies

被引：0

作者：

Voldman, S. ^{[1
]}

Gauthier, R. ^{[1
]}

Morrisseau, K. ^{[1
]}

Hargrove, M. ^{[1
]}

McGahay, V. ^{[1
]}

Gross, V. ^{[1
]}

机构：

[1] IBM Microelectronics Div, Essex Junction, United States

来源：

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) | 1999年

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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