ZnSe/GaAs heterointerface stabilization by high-temperature Se treatment of GaAs surface

被引：0

作者：

Kobayashi, Naoki ^{[1
]}

机构：

[1] NTT, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1988年 / 27卷 / 09期

关键词：

Heterointerface Stabilization - Metal Organic Molecular Beam Epitaxy - Reflection High Energy Electron Diffraction - Secondary Ion Mass Spectroscopy;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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