Oxidation-induced defects in trench-etched silicon single crystals

被引：0

作者：

Pickering, J.C. ^{[1
]}

Mahajan, S. ^{[1
]}

Greve, D.W. ^{[1
]}

机构：

[1] Carnegie Mellon Univ, Pittsburgh, United States

来源：

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology | 1991年 / B8卷 / 04期

关键词：

34;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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