INSULATED GATE TRANSISTOR: A NEW THREE-TERMINAL MOS-CONTROLLED BIPOLAR POWER DEVICE.

被引：0

作者：

Baliga, Jayant ^{[1
]}

Adler, Michael S. ^{[1
]}

Love, Robert P. ^{[1
]}

Gray Peter V. ^{[1
]}

Zommer, Nathan D. ^{[1
]}

机构：

[1] GE, High Voltage Device &, Integrated Circuits Unit,, Schenectady, NY, USA, GE, High Voltage Device & Integrated Circuits Unit, Schenectady, NY, USA

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1984年 / ED-31卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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