Ion implant modeling for ULSI integrated circuits

被引：0

作者：

Tasch, A.F. ^{[1
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Yang, S.-H. ^{[1
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Morris, S.J. ^{[1
]}

Tian, S. ^{[1
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Parab, K. ^{[1
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Simonton, R. ^{[1
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Kamenitsa, D. ^{[1
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Magee, C. ^{[1
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Novak, S. ^{[1
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Lux, G. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Texas, Austin, United States

来源：

Semiconductor International | 1995年 / 18卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

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