Electrical studies of rapidly annealed Ni and Pd/n-GaAs Schottky diodes

被引：0

作者：

Eftekhari, Ghader ^{[1
]}

机构：

[1] State Univ of New York, New Paltz, United States

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1995年 / 34卷 / 5 A期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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