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Substrate leakage current in InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors
被引：0
作者：
机构：
[1] [1,Chang, Yang-Hua
[2] Chang, Zhi-Juan
[3] Hsieh, Yi-Jing
来源：
Chang, Y.-H. (changyh@yuntech.edu.tw)
|
1600年
/
Japan Society of Applied Physics卷
/
44期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
4
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