Electrical characteristics of rapid thermal nitrided-oxide gate n- and p-MOSFET's with less than 1 atom% nitrogen concentration

被引：0

作者：

Momose, Hisayo Sasaki ^{[1
]}

Morimoto, Toyota ^{[1
]}

Ozawa, Yoshio ^{[1
]}

Yamabe, Kikuo ^{[1
]}

Iwai, Hiroshi ^{[1
]}

机构：

[1] Toshiba Corp, Kawasaki, Japan

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1994年 / 41卷 / 04期

关键词：

Charge trapping - Nitrided oxide films - Rapid thermal nitridation;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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