Fabrication of 1 μm Gate Diamond FET Using Self-Aligned Gate Process

被引：0

作者：

Umezawa, Hitoshi ^{[1
]}

Kitatani, Kenich ^{[1
]}

Kinumura, Kengo ^{[1
]}

Seto, Nobuyuki ^{[1
]}

Tsugawa, Kazuo ^{[1
]}

Kawarada, Hiroshi ^{[1
]}

机构：

[1] School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0072, Japan

来源：

New Diamond and Frontier Carbon Technology | / 9卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：151 / 153