INVESTIGATION OF ADDITIONAL MINIMA IN n-TYPE GaAs.

被引：0

作者：

Dragunov, V.P.

Kravchenko, A.F.

机构：

来源：

Soviet Physics, Semiconductors (English translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov) | 1974年 / 8卷 / 02期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS

引用

页码：266 / 267