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Electrical characterization of electron beam induced defects in epitaxially grown Si1-xGex
被引：0
作者：
Univ of Pretoria, Pretoria, South Africa
[1
]
机构：
来源：
Mater Sci Forum
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pt 1卷
/
115-120期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
15
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