Study of B+ -implanted HgCdTe under rapid thermal annealing

被引：0

作者：

Liu, Jia-Lu

Zhang, Ting-Qing

Feng, Jian-Hua

Zhou, Guan-Shan

Ying, Ming-Jiong

机构：

[1] Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China

[2] 11th Institute, Ministry of Electronics Industry, Beijing 100015, China

来源：

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica | / 47卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用