Improved method for lateral profiling of interface traps and oxide charge in MOSFET devices

被引：0

作者：

Melik-Martirosian, Ashot ^{[1
]}

Ma, T.P. ^{[1
]}

机构：

[1] Yale Univ, New Haven, United States

来源：

International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings | 1999年

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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