Kinetics of nickel-induced lateral crystallization of amorphous silicon thin-film transistors by rapid thermal and furnace anneals

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作者：

Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Bard Hall, Cornell University, Ithaca, NY 14853, United States ^{[1
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机构：

来源：

Appl Phys Lett | / 13卷 / 1866-1868期

关键词：

D O I：

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