Doped-channel micro-Hall devices: Size and geometry effects

被引：0

作者：

Kunets, Vas. P. ^{[1
]}

Mazur, Yu.I. ^{[1
]}

Salamo, G.J. ^{[1
]}

Bierwagen, O. ^{[2
]}

Masselink, W.T. ^{[2
]}

机构：

[1] Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, United States

[2] Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, Germany

来源：

Journal of Applied Physics | 2005年 / 98卷 / 09期

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用