CONTACT-LIMITED BEHAVIOR IN AMORPHOUS-SILICON FET FOR APPLICATIONS TO MATRIX-ADDRESSED LIQUID-CRYSTAL DISPLAYS.

被引：0

作者：

Possin, G.E. ^{[1
]}

Castleberry, D.E. ^{[1
]}

Piper, W.W. ^{[1
]}

Parks, H.G. ^{[1
]}

机构：

[1] GE, Schenectady, NY, USA, GE, Schenectady, NY, USA

来源：

Proceedings of the SID | 1984年 / 26卷 / 03期

关键词：

AMORPHOUS-SILICON PROCESS - CONTACT DROP - FERMI LEVEL - MATRIX ADDRESSING - PARASITIC CAPACITANCE;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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