LOW-TEMPERATURE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THE Au/Si INTERFACE.

被引：0

作者：

Tran, A. ^{[1
]}

Yang, C.Y. ^{[1
]}

Gao, M. ^{[1
]}

Kim, N. ^{[1
]}

Cooley, R.F. ^{[1
]}

机构：

[1] Siliconix Inc, Santa Clara, CA, USA, Siliconix Inc, Santa Clara, CA, USA

来源：

Metallurgical transactions. A, Physical metallurgy and materials science | 1987年 / 18 A卷 / 05期

关键词：

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING - NMOS DEVICES - SCHOTTKY JUNCTION;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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