Novel thin gate-oxide-thickness measurement methods by LDD (lightly-doped-drain)-NMOS (N-channel metal-oxide-semiconductor) transistors

被引：0

作者：

Shih, Jiaw-Ren ^{[1
]}

Lee, Jian-Hsing ^{[1
]}

Liew, B.K. ^{[1
]}

Hwang, Huey-Liang ^{[1
]}

机构：

[1] Tsing-Hua Univ, Hsin-Chu, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1998年 / 37卷 / 1 A-B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

MOSFET devices

引用