Nanometer-scale surface modification using scanning tunneling microscope (STM)-based lithography with conductive layer on resist

被引：0

作者：

Ohtsuka, Kenichi ^{[1
]}

Yonei, Kenji ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electronic Engineering, Shibaura Institute of Technology, 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 2002年 / 41卷 / 6 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用