RAPID THERMAL OXIDATION OF SILICON.

被引：0

作者：

Ang, S.T. ^{[1
]}

Wortman, J.J. ^{[1
]}

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Dallas, TX,, USA, Texas Instruments Inc, Dallas, TX, USA

来源：

Journal of the Electrochemical Society | 1986年 / 133卷 / 11期

关键词：

DOPING LEVELS - DRY OXIDES - LOW INTERFACE STATE DENSITY;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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