Theoretical calculation of the electron Hall mobility in n-type 4H- and 6H-SiC

被引：0

作者：

Iwata, Hisaomi ^{[1
]}

Itoh, Kohei M. ^{[1
]}

机构：

[1] Dept. of Appl. Phys. and Phys.-Info., Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, 223-8522, Japan

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D O I：

暂无

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