Microstructure of the GaSb-on-InAs heterojunction examined with cross-sectional scanning tunneling microscopy

被引:0
作者
Texas A&M Univ, College Station, United States [1 ]
机构
来源
Appl Phys Lett | / 19卷 / 2805-2807期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
empty
未找到相关数据