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Microstructure of the GaSb-on-InAs heterojunction examined with cross-sectional scanning tunneling microscopy
被引：0
作者：
Texas A&M Univ, College Station, United States
[1
]
机构：
来源：
Appl Phys Lett
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19卷
/
2805-2807期
关键词：
D O I：
暂无
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