MOS gate doping effects on leakage currents in gate oxides

被引：0

作者：

Khan, M.Kamal ^{[1
]}

Zdancewicz, F. ^{[1
]}

Bhalla, A. ^{[1
]}

机构：

[1] Harris Semiconductor, Mountaintop, United States

来源：

Semiconductor International | 1997年 / 20卷 / 05期

关键词：

D O I：

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