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E. B. I. C. STUDIES OF DEFECTS IN PASSIVATED p/n JUNCTIONS.
被引：0
作者：
Gonchond, J.P.
Fournier, J.M.
Georges, A.
Bois, D.
Peccoud, L.
机构：
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTOR DEVICES
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页码：523 / 530
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