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Germanium atomic layer epitaxy controlled by surface chemical reactions
被引：0
作者：
机构：
[1] Takahashi, Yasuo
[2] Ishii, Hiromu
[3] Fujinaga, Kiyohisa
来源：
Takahashi, Yasuo
|
1826年
/
136期
关键词：
Semiconducting Germanium;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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