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AsCl3-TEMPERATURE-DEPENDENCE OF HIGH-PURITY EPITAXIAL GALLIUM ARSENIDE PROPERTIES.
被引：0
作者：
Aoki, Tatsuo
Yamaguchi, Masao
机构：
来源：
|
1600年
/
20期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS
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