Identification of vacancy-type defects in molecular beam epitaxy-grown GaAs using a slow positron beam

被引：0

作者：

Wei, Long ^{[1
]}

Tanigawa, Shoichiro ^{[1
]}

Uematsu, Masashi ^{[1
]}

Maezawa, Koichi ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Tsukuba, Tsukuba, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1992年 / 31卷 / 07期

关键词：

Crystal defects - Epitaxial growth - Molecular beam epitaxy - Semiconducting films - Semiconductor growth;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2056 / 2060