Static random access memories based on resonant interband tunneling diodes in the InAs/GaSb/AlSb material system

被引：0

作者：

机构：

[1] Shen, J.

[2] Kramer, G.

[3] Tehrani, S.

[4] Goronkin, H.

[5] Tsui, R.

来源：

Shen, J. | 1600年 / IEEE, Piscataway, NJ, United States卷 / 16期

关键词：

Bistability - Numerical simulation - Static random access memory;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

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